半导体行业真空氦质谱检漏仪是保障芯片制造精度的核心设备,专用于检测工艺设备的极微泄漏。其工作原理基于氦气示踪:向待测件注入氦气,通过高真空质谱系统分离氦离子,经法拉第杯/电子倍增器捕捉信号,精准定位漏点。
一、示踪气体选择
氦气(He):分子量小(4 g/mol)、惰性、无毒,易扩散且本底浓度低(空气中仅5 ppm)。
替代方案:氢气(需防爆设计)、氪-85(放射性,特殊场景用)。
二、检测流程
1、抽真空:将待测设备(如真空腔体)抽至分子流状态(气体分子自由运动,无碰撞)。
2、喷氦/充氦:外部喷氦或内部充氦,氦分子通过泄漏点进入检漏仪。
3、电离筛选:氦气在质谱仪中被电离为He⁺,通过磁场偏转分离,检测器捕获信号。
4、定量定位:信号强度对应泄漏率,移动喷枪可精确定位漏点(精度达0.1 mm)。
三、核心公式
泄漏率Q=P×V/t(P:压差,V:泄漏体积,t:时间),在分子流状态下与气体种类无关。
四、应用场景
1、EUV光刻机真空腔:防止氧气/水汽渗入,保障极紫外光传输。
2、薄膜沉积设备:确保反应腔密封,避免工艺气体(如SiH₄)外泄。
3、晶圆传输系统:检测真空机械臂密封性,杜绝微粒污染。
4、3D封装硅通孔(TSV):验证气密性,防止湿气侵蚀互连结构。

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